裝置
常圧CVD(APCVD)裝置
特長
●半導(dǎo)體?電子部品?太陽電池製造用等、様々な用途に対応
●少量生産から大量生産まで対応
●SiO2(NSG,USG)?BPSG?BSG?PSG?AlOx膜等様々な膜が成膜可能
●低溫(200℃)から中溫(450℃)領(lǐng)域まで幅広い成膜が可能
●SiCトレーの採用により重金屬汚染を抑制
概要
●連続式常圧CVD(APCVD)裝置
?小口徑用から12″用までラインナップ
?高スループット（6″-120枚/時?8″-100枚/時?12″-56枚/時）
●枚葉式常圧CVD(APCVD)裝置
?省フットプリント
?SiCウェハ等、ソリの大きなウェハにも対応
●バッチ式常圧CVD(APCVD)裝置
?不定形基板対応
?低溫プロセス対応
基本性能
●連続式常圧CVD(APCVD)裝置: AMAX1200
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膜厚均一性
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≦±3.0%
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対応ウェハサイズ
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12インチ
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ガス種
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SiH4, O2, PH3, B2H6, N2
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成膜溫度
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350～430℃
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生産性
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～56枚/時
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●連続式常圧CVD(APCVD)裝置: AMAX800V
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膜厚均一性
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≦±3.0%
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対応ウェハサイズ
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(～5インチ)?6インチ?8インチ
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ガス種
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SiH4, O2, PH3, B2H6, N2
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成膜溫度
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350～430℃
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生産性
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～100枚/時
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●連続式常圧CVD(APCVD)裝置: A6300S
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膜厚均一性
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≦±4.0%
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対応ウェハサイズ
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～6インチ
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ガス種
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SiH4, O2, PH3, B2H6, N2
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成膜溫度
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350～430℃
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生産性
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～120枚/時
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●枚葉式常圧CVD(APCVD)裝置: A200V
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膜厚均一性
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≦±2.0%
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対応ウェハサイズ
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～8インチ
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ガス種
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SiH4, O2, PH3, B2H6, N2 (TEOS, TEB, TMOP, O3はオプション)
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成膜溫度
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300～450℃
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生産性
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～15枚/時 (500nm成膜時)
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●バッチ式常圧CVD(APCVD)裝置: D501
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膜厚均一性
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膜厚?膜種による
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対応ウェハサイズ
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加熱可能ゾーンに準じる
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ガス種
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SiH4, O2, PH3, B2H6, N2
(TEOS, TEB, TMOP, O3, TMAはオプション)
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成膜溫度
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350～450℃ (200～350℃)
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生産性
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–
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●太陽電池用連続式常圧CVD(APCVD)裝置: AMAX1000S
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膜厚均一性
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≦±10%
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対応ウェハサイズ
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156mm角?126mm角
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ガス種
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SiH4, O2, PH3, B2H6, N2
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成膜溫度
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～430℃
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生産性
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～1500枚/時
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●ガラス基板用常圧CVD(APCVD)裝置
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膜厚均一性
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±10%
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対応ガラス基板サイズ
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4.5世代
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ガス種
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SiH4, O3, PH3, B2H6, N2
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成膜溫度
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150～300℃
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