如果您對該產(chǎn)品感興趣的話,可以
產(chǎn)品名稱:
蘇州AMAYA天谷 剛性和柔性的常壓CVD設備
產(chǎn)品型號:
玻璃基板沉積設備
產(chǎn)品展商:
日本AMAYA天谷制作所
折扣價格:
0.00 元
關(guān)注指數(shù):76
產(chǎn)品文檔:
無相關(guān)文檔
AMAYA株式會社天谷制作所玻璃基板沉積設備
常壓CVD裝置,準備了滿足顧客需求的產(chǎn)品陣容。同時,定做也對應。
對應于半導體制造用、太陽能電池制造用等各種用途。從少量生產(chǎn)到大量生產(chǎn)
形成SiO2、BPSG、BSG、PSG等各種膜種
采用SiC托盤防止重金屬污染,從低溫(200℃)到中溫(500℃)區(qū)域可以廣泛成膜
蘇州AMAYA天谷 剛性和柔性的常壓CVD設備
的詳細介紹
日本AMAYA株式會社天谷制作所
用于剛性和柔性設備(如FPD)的常壓CVD設備
玻璃基板沉積設備
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低溫(150~300°C)處理
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高質(zhì)量 SiO2 成膜低應力
、等離子體損傷、小顆粒
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占地面積小,降低了安裝和維護成本
,無需真空或等離子處理低價
特征
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這是第4.5代玻璃基板沉積系統(tǒng),與FPD等剛性和柔性器件兼容。
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配備兩個氣頭,有效成膜寬度為760mm,吸附式加熱階段為吸附式加熱階段,溫度可控性±2%以內(nèi)。
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可以在4°C下在5.250代玻璃基板上以100片/小時或更高的速度沉積2nm SiO25薄膜,并且可以保證薄膜厚度均勻性在10%以內(nèi)。
性能
均勻的薄膜厚度
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±10%
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支持的玻璃基板尺寸
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4.5 代
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氣體種類
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SiH4,O 3, PH3, B2H6
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薄膜沉積溫度
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150~300°C
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主要規(guī)格
設備尺寸
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1300毫米(寬) x 7350毫米(深) x 2000毫米(高)
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氣頭
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配備兩個有效寬度為 760 mm 的氣頭,用于沉積
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